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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipiert wurde. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 0,17 A eignet sich dieser Transistor ideal für Schalt- und Verstärkungsanwendungen in modernen Elektronikschaltungen.

Ein herausragendes Merkmal des NX7002BK ist sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on)) von maximal 5,7 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 1 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten SOT23-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Puls-Durchlassstrom von 0,9 A eignet sich der NX7002BK für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den NX7002BK umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den NX7002BK zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell NX7002BK / NX7002BKR
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 3 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 170 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 4,6 pF
Eingangskapazität (C_iss) 23,6 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 3,2 Ω
Gate-Source-Spannung 2,1 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 6,9 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 3 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 270 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519766828, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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