NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: NEXPERIA
MPN: NX7002BKR
Artikelnr.: 05-0010-01029
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Menge

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipiert wurde. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 0,17 A eignet sich dieser Transistor ideal für Schalt- und Verstärkungsanwendungen in modernen Elektronikschaltungen.

Ein herausragendes Merkmal des NX7002BK ist sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)) von maximal 5,7 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 1 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten SOT23-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Puls-Durchlassstrom von 0,9 A eignet sich der NX7002BK für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den NX7002BK umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den NX7002BK zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	NX7002BK / NX7002BKR
RoHS-konform	Ja
Länge	3 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	170 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	4,6 pF
Eingangskapazität (C_iss)	23,6 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	3,2 Ω
Gate-Source-Spannung	2,1 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	6,9 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	3 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	270 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr.	NX7002BKR