IRLL014NTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 2 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SOT-223, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: INFINEON
MPN: IRLL014NTRPBF
Artikelnr.: 05-0010-01007
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Menge

Der IRLL014NTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für verschiedene elektronische Anwendungen konzipiert wurde. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 2 A eignet sich dieser Transistor für die Steuerung von Gleichstromlasten. Er bietet eine Leistungsaufnahme von bis zu 2,1 W und ist optimal für Anwendungen mit schnellen Schaltzeiten, mit einer Schaltgeschwindigkeit von lediglich 14 ns. Der MOSFET ist in der SMD-Paketform SOT-223 ausgeführt und lässt sich somit einfach in kompakte Leiterplattendesigns integrieren.

Dieser MOSFET ist TTL-/CMOS-kompatibel, was ihn flexibel in digitalen Schaltungen einsetzbar macht. Er weist einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C auf, was eine hohe Betriebssicherheit unter extremen Bedingungen gewährleistet. Der IRLL014NTRPBF ist somit eine zuverlässige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in der Elektronik, insbesondere in der Leistungstechnik und in Schaltregelungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLL014NTRPBF
RoHS-konform	Ja
Länge	6,7 mm
Breite	3,7 mm
Höhe	1,8 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	2 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	66 pF
Eingangskapazität (C_iss)	230 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	200 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	14 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	30 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	2,1 W
Anzahl Pins	4
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-223
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr.	IRLL014NTRPBF