RFD14N05LSM, N-Kanal MOSFET, 50 V, 14 A, 48 W, 100 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • RFD14N05LSM, N-Kanal MOSFET, 50 V, 14 A, 48 W, 100 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Artikelnr.: 05-0010-01013
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell RFD14N05LSM
RoHS-konform Ja
Länge 7,49 mm
Breite 6,73 mm
Höhe 2,39 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 185 pF
Eingangskapazität (C_iss) 670 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 100 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 50 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 100 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 50 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 48 W
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 50 V
Max. Schaltstrom 14 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse DPAK/TO-252AA
Irrtümer vorbehalten