FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDN327N
Artikelnr.: 05-0010-01028
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Menge

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem kontinuierlichen Strom von bis zu 2 A ausgelegt ist. Mit einer maximalen Verlustleistung von 500 mW eignet sich dieses Bauelement gut für verschiedene Schaltanwendungen. Die Schaltgeschwindigkeit des FDN327N beträgt 29 ns, was ihn für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Reaktionszeit geeignet macht.

Das Bauelement ist im kompakten SuperSOT-3 Gehäuse ausgeführt und erfüllt die Standards für TTL-/CMOS-Kompatibilität. Der Temperaturbereich beträgt -55 bis 150 °C, was eine breite Anwendbarkeit in unterschiedlichen Umgebungen ermöglicht. Der FDN327N eignet sich daher für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDN327N
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	2 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	87 pF
Eingangskapazität (C_iss)	423 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	70 mΩ
Gate-Source-Spannung	1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	29 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	48 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	500 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDN327N
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de