IRLU3636PBF, N-Kanal MOSFET, 60 V, 99 A, 143 W, 216 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
Produkteigenschaften
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET |
| Modell | IRLU3636PBF |
| RoHS-konform | Ja |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 332 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 3.779 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 8,3 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | 2,5 - 16 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
| Max. Schaltverzögerung | 216 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 163 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 175 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 1 |
| Derating-Faktor | 0,95 W/°C |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 143 W |
| Anzahl Pins | 3 |
| Montageart | THT |
| Max. Schaltspannung | 60 V |
| Max. Schaltstrom | 99 A |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | IPAK / TO-251AA |
Irrtümer vorbehalten