IRLU3636PBF, N-Kanal MOSFET, 60 V, 99 A, 143 W, 216 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRLU3636PBF, N-Kanal MOSFET, 60 V, 99 A, 143 W, 216 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLU3636PBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00014
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Der IRLU3636PBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen unter hohen Spannungen und Strömen entwickelt wurde. Mit einer maximalen Spannung von 60 V und einem maximalen Strom von 99 A ist er für leistungsstarke Schaltungen geeignet. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 143 W und eine Schaltgeschwindigkeit von 216 ns, was ihn für schnelle Schaltanwendungen qualifiziert. Sein Gehäuse im IPAK/TO-251AA-Format ermöglicht eine einfache Montage durch THT-Technik.

Dieser Bauteil ist TTL- und CMOS-kompatibel, was ihn vielseitig in digitalen Schaltungen einsetzbar macht. Er arbeitet zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55 bis 175 °C, was seine Anwendbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen unterstützt. Der IRLU3636PBF ist somit eine geeignete Wahl für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLU3636PBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 99 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 332 pF
Eingangskapazität (C_iss) 3.779 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 8,3 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,5 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 216 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 163 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,95 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 143 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse IPAK / TO-251AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLU3636PBF

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01033

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00016

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00024

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Der IRLU3636PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen bis 60 V und 99 A ausgelegt ist und eine maximale Verlustleistung von 143 W bietet. Mit einer Schaltzeit von nur 216 ns und der THT-Bauform im IPAK/TO-251AA Gehäuse ist er ideal für schnelle Schaltvorgänge geeignet. Dank seiner TTL-/CMOS-Kompatibilität lässt sich der MOSFET mühelos in verschiedene Schaltungssysteme integrieren. Betriebstemperaturen von -55 bis 175 °C machen ihn zur perfekten Wahl für anspruchsvolle Umgebungen. Nutzen Sie den IRLU3636PBF für zuverlässige Leistung in Ihren elektronischen Projekten und sichern Sie sich eine hohe Effizienz und Stabilität. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRLU3636PBF, N-Kanal MOSFET, 60V MOSFET, 99A Transistor, 143W Leistungstransistor, 216ns Schaltzeit, THT Bauelement, IPAK MOSFET, TO-251AA Gehäuse, TTL-kompatibler MOSFET, CMOS-kompatible Transistoren, Hochleistungstransistor, elektrische Bauelemente, Industrieanwendungen, -55 bis 175 °C temperaturbeständig, Analogschaltung Transistor, Halbleiter Komponenten, MOSFET für Schaltanwendungen, effizienter Leistungstransistor, vielseitige Bauelemente, elektronische Schaltungen, MOSFET kaufen, Transistor online, Hochspannungs-MOSFET, Hochstrom Transistor, Bauelemente für Leistungselektronik., Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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