BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: NEXPERIA
MPN: BSS138BK
Artikelnr.: 05-0010-01033
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Menge

Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET) von Nexperia, der in einem kompakten SOT23-Gehäuse untergebracht ist. Dieser MOSFET nutzt die fortschrittliche Trench-Technologie, die eine Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 360 mA ermöglicht.

Zu den herausragenden Merkmalen des BSS138BK zählen seine Logikpegel-Kompatibilität und die Fähigkeit zum sehr schnellen Schalten, was ihn ideal für Anwendungen wie Relaisansteuerungen, High-Speed-Leitungstreiber und Low-Side-Lastschalter macht. Zudem bietet er einen ESD-Schutz von bis zu 1,5 kV gemäß Human Body Model (HBM) und ist gemäß AEC-Q101 für den Automobilbereich qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit und Robustheit unterstreicht.

Der BSS138BK zeichnet sich durch einen maximalen Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von 6,5 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V aus, was zu einer effizienten Leistung und minimalen Verlusten führt. Das SOT23-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Schaltungen und Designs, insbesondere dort, wo Platzersparnis und hohe Leistungsfähigkeit gefragt sind.

Mit seinem breiten Betriebstemperaturbereich und den robusten elektrischen Eigenschaften ist der BSS138BK eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die einen zuverlässigen und effizienten n-Kanal-MOSFET für ihre Anwendungen suchen. Seine Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, schnellem Schaltverhalten und kompakter Bauweise macht ihn vielseitig einsetzbar in modernen elektronischen Systemen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	BSS138BK
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,3 mm
Höhe	1,2 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	360 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	7 pF
Eingangskapazität (C_iss)	56 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	2,2 Ω
Gate-Source-Spannung	1,6 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	76 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	4 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	420 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr.	BSS138BK