IRLU8743PBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 160 A, 135 W, 35 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

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Der IRLU8743PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU8743, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 160 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLU8743PBF ist sein niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 3,1 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 39 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 135 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU8743PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLU8743PBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU8743PBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLU8743PBF
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 160 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 950 pF
Eingangskapazität (C_iss) 4.880 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 3,9 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,35 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 35 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 470 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,9 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 135 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse IPAK / TO-251AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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