FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDV301N
RoHS-konform Ja
Länge 2,9 mm
Breite 1,3 mm
Höhe 1,2 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 6 pF
Eingangskapazität (C_iss) 9,5 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 4 Ω
Gate-Source-Spannung 1,06 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 15 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 1,3 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 350 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 25 V
Max. Schaltstrom 220 mA
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Irrtümer vorbehalten