FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDV301N
Artikelnr.: 05-0010-01026
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Menge

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert ist. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 25 V und einem maximalen Drain-Strom von 220 mA bietet er eine gute Leistung in kompakten Designs. Dieser MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 350 mW und hat eine Schaltgeschwindigkeit von 15 ns, was ihn für schnelle Schaltvorgänge geeignet macht.

Der FDV301N ist im SMD-Gehäuse im SOT-23/TO-236AB Format erhältlich und ist kompatibel mit TTL- und CMOS-Schaltungen. Er operiert in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, was eine hohe Flexibilität in verschiedenen Umgebungen ermöglicht. Diese Eigenschaften machen ihn zu einer geeigneten Wahl für Anwendungen, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDV301N
RoHS-konform	Ja
Länge	2,9 mm
Breite	1,3 mm
Höhe	1,2 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	220 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	6 pF
Eingangskapazität (C_iss)	9,5 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	4 Ω
Gate-Source-Spannung	1,06 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	15 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	1,3 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	350 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	25 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDV301N
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de