PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell PMV280ENEAR
RoHS-konform Ja
Länge 3 mm
Breite 1,9 mm
Höhe 1,1 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 13 pF
Eingangskapazität (C_iss) 190 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 432 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,7 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 10 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 9 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 580 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 100 V
Max. Schaltstrom 1,1 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Irrtümer vorbehalten