NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: NDS355AN
Artikelnr.: 05-0010-01017
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Menge

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem konstanten Strom von 1,7 A ausgelegt ist. Die Verlustleistung beträgt 500 mW, was eine effiziente Wärmeabführung ermöglicht. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 60 ns eignet er sich gut für schnelles Schalten und schnelle Signalübertragung.

Das Bauelement ist im SuperSOT-3-Gehäuse untergebracht und unterstützt TTL- und CMOS-kompatible Logiklevels. Der Temperaturbereich erstreckt sich von -55 °C bis 150 °C, was eine breite Einsatzfähigkeit in verschiedenen Umgebungen gewährleistet. Der NDS355AN ist somit eine vielseitige Wahl für unterschiedliche elektronische Anwendungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	NDS355AN
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	1,7 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	135 pF
Eingangskapazität (C_iss)	195 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	125 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	60 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	48 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	500 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	NDS355AN
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de