FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDN337N
Artikelnr.: 05-0010-01021
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Menge

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit einem maximalen Spannungsbereich von 30 V und einem maximalen Strom von 2,2 A eignet sich dieser Transistor für verschiedene Schaltanwendungen. Der Baustein hat eine Verlustleistung von bis zu 500 mW und bietet eine sehr schnelle Schaltzeit von 28 ns, was ihn zu einer effizienten Wahl für Hochgeschwindigkeitsanwendungen macht.

Das SMD-Gehäuse im SuperSOT-3-Format erlaubt eine platzsparende Montage auf Leiterplatten. Zudem ist der FDN337N TTL- und CMOS-kompatibel, was ihn vielseitig einsetzbar macht. Der Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C gewährleistet eine hohe Zuverlässigkeit auch unter extremen Bedingungen, was ihn geeignet für den industriellen Einsatz macht.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDN337N
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	1,7 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	145 pF
Eingangskapazität (C_iss)	300 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	65 mΩ
Gate-Source-Spannung	1 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	28 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	35 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	500 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDN337N
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de