FDN357N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,9 A, 500 mW, 22 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDN357N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,9 A, 500 mW, 22 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDN357N
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,12 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 145 pF
Eingangskapazität (C_iss) 235 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 90 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 22 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 50 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 500 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Max. Schaltstrom 1,9 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SuperSOT-3
Irrtümer vorbehalten