FDN357N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,9 A, 500 mW, 22 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDN357N
Artikelnr.: 05-0010-01006
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Menge

Der FDN357N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem maximalen Strom von 1,9 A ausgelegt ist. Mit einer Verlustleistung von 500 mW eignet er sich für verschiedene Schaltanwendungen in der Elektronik. Der MOSFET verfügt über eine Schaltzeit von 22 ns, was ihn ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen macht.

Das Bauelement ist im SuperSOT-3 Gehäuse ausgeführt und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel. Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55 °C bis 150 °C, was eine hohe Flexibilität in unterschiedlichen Umgebungen ermöglicht. Der FDN357N findet Anwendung in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und ist ein zuverlässiges Bauteil in der modernen Elektronik.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDN357N
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	1,12 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	1,9 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	145 pF
Eingangskapazität (C_iss)	235 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	90 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	22 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	50 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	500 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDN357N
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de