IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 8,3 A, 2 W, 32 ns, SMD, TSOP-6, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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Der IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLTS6342, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 12 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLTS6342PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 15,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 11 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten TSOP-6 Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 140 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLTS6342PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLTS6342PBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLTS6342PBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 3 mm
Breite 1,75 mm
Höhe 1,45 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 8,3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 96 pF
Eingangskapazität (C_iss) 1.010 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 17,5 mΩ
Gate-Source-Spannung 1,1 - 12 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 32 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 9 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 2 W
Anzahl Pins 6
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TSOP-6
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519766828, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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Der IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, ideal für anspruchsvolle Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von bis zu 8,3 A. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von nur 32 ns gewährleistet er eine effiziente Leistung und schnelle Reaktionszeiten. Dieser SMD-MOSFET im TSOP-6 Gehäuse ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel und arbeitet zuverlässig in einem temperaturbeständigen Bereich von -55 bis 150 °C. Profitieren Sie von der hohen Effizienz und Vielseitigkeit dieses Bauelements, das sich bestens für moderne Elektroniklösungen eignet.
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