IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 8,3 A, 2 W, 32 ns, SMD, TSOP-6, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: INFINEON
MPN: IRLTS6342TRPBF
Artikelnr.: 05-0010-01003
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Der IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLTS6342, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 12 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLTS6342PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 15,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 11 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten TSOP-6 Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 140 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLTS6342PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLTS6342PBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLTS6342PBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF
vipitec Produktlinie
RoHS-konform
Länge	3 mm
Breite	1,75 mm
Höhe	1,45 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	8,3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	96 pF
Eingangskapazität (C_iss)	1.010 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	17,5 mΩ
Gate-Source-Spannung	1,1 - 12 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	32 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	9 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	2 W
Anzahl Pins	6
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	TSOP-6
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com