IRLB3034PBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 195 A, 375 W, 827 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLB3034PBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00017
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Der IRLB3034PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLB3034, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 195 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein bemerkenswertes Merkmal des IRLB3034PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 1,7 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 108 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 375 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLB3034PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLB3034PBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 195 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 1.980 pF
Eingangskapazität (C_iss) 10.315 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 2 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,5 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 827 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 935 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 2,5 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 375 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 40 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLB3034PBF

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Der IRLB3034PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer hohen Spannungsfestigkeit von 40 V und einer maximalen Stromstärke von 195 A, ideal für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik. Mit einer hohen Leistung von 375 W und einer Schaltgeschwindigkeit von nur 827 ns eignet sich dieser Transistor hervorragend für schnelle Schaltanwendungen. Der MOSFET ist in einem TO-220AB Gehäuse für eine einfache Durchsteckmontage erhältlich und ist TTL-/CMOS-kompatibel, was seine Vielseitigkeit erhöht. Er arbeitet zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55 bis 175 °C, was ihn ideal für anspruchsvolle Umgebungen macht. Nutzen Sie die hohen Leistungsparameter des IRLB3034PBF für Ihre elektrischen Projekte und sichern Sie sich eine effiziente und zuverlässige Lösung für Ihre Bauelemente. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
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