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IRLU120NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 10 A, 48 W, 35 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Hersteller: INFINEON
MPN: IRLU120NPBF
Artikelnr.: 05-0010-00003
Lagerbestand: 123

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Menge

Der IRLU120NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU120N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 10 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLU120NPBF ist sein niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 265 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 20 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 48 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU120NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLU120NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU120NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLU120NPBF
RoHS-konform	Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	10 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	97 pF
Eingangskapazität (C_iss)	440 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	225 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	35 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	50 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 175 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Derating-Faktor	0,32 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung	48 W
Anzahl Pins	3
Montageart	THT
Max. Schaltspannung	100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	IPAK/TO-251AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr.	IRLU120NPBF