IRLZ34NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 30 A, 68 W, 100 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Hersteller: INFINEON
MPN: IRLZ34NPBF
Artikelnr.: 05-0010-00005
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Menge

Der IRLZ34NPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Er hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und kann einen maximalen Drain-Strom von bis zu 30 A führen. Mit einer maximalen Leistungsaufnahme von 68 W eignet sich dieser MOSFET für verschiedene elektronische Schaltungen und kann sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Temperaturen betrieben werden, mit einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

Der IRLZ34NPBF ist im TO-220AB Gehäuse untergebracht und bietet eine schnelle Schaltzeit von 100 ns, was ihn für Anwendungen geeignet macht, die TTL- und CMOS-Kompatibilität erfordern. Die durchdachte Konstruktion und die Eigenschaften dieses Bauelements machen es zu einer idealen Wahl für die Verwendung in Leistungsanwendungen, wie etwa in der Automobil- und Industrieelektronik.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLZ34NPBF
RoHS-konform	Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	30 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	220 pF
Eingangskapazität (C_iss)	880 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	46 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	100 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	94 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 175 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Derating-Faktor	0,45 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung	68 W
Anzahl Pins	3
Montageart	THT
Max. Schaltspannung	55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr.	IRLZ34NPBF