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IRLZ34NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 30 A, 68 W, 100 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLZ34NPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00005
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Der IRLZ34NPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Er hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und kann einen maximalen Drain-Strom von bis zu 30 A führen. Mit einer maximalen Leistungsaufnahme von 68 W eignet sich dieser MOSFET für verschiedene elektronische Schaltungen und kann sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Temperaturen betrieben werden, mit einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

Der IRLZ34NPBF ist im TO-220AB Gehäuse untergebracht und bietet eine schnelle Schaltzeit von 100 ns, was ihn für Anwendungen geeignet macht, die TTL- und CMOS-Kompatibilität erfordern. Die durchdachte Konstruktion und die Eigenschaften dieses Bauelements machen es zu einer idealen Wahl für die Verwendung in Leistungsanwendungen, wie etwa in der Automobil- und Industrieelektronik.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLZ34NPBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 30 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 220 pF
Eingangskapazität (C_iss) 880 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 46 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 100 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 94 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,45 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 68 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLZ34NPBF

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

1,65 €
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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00024

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IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

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Der IRLZ34NPBF ist ein leistungsfähiger N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 55 V und einem Strom von bis zu 30 A, ideal für verschiedenste Anwendungen in der Leistungselektronik. Mit einem erstaunlichen Schaltvermögen von 100 ns und einer maximalen Verlustleistung von 68 W bietet dieser Transistor hohe Effizienz und Zuverlässigkeit. Der IRLZ34NPBF ist im robusten TO-220AB-Gehäuse ausgeführt und eignet sich perfekt für die durchkontaktierte Bestückung (THT). Dank seiner TTL-/CMOS-Kompatibilität kann er mühelos in digitale Schaltungen integriert werden. Darüber hinaus gewährleistet der Temperaturbereich von -55 bis 175 °C einen stabilen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Optimieren Sie Ihre Projekte mit dem ARLZ34NPBF und profitieren Sie von seiner exzellenten Performance. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRLZ34NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V Transistor, 30 A Leistungs-MOSFET, 68 W Leistungstransistor, 100 ns Schaltzeit, THT Transistor, TO-220AB Gehäuse, TTL-kompatibler MOSFET, CMOS-kompatibler Transistor, Hochtemperatur-MOSFET, -55 bis 175 °C, Leistungselektronik Bauelemente, MOSFET für Schaltanwendungen, Transistor für Automatisierung, N-Kanal Leistungsverstärker, elektronisches Zubehör, Hochstrom MOSFET, bewährter Transistor, effizienter Schalter, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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