BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: NEXPERIA
MPN: BSS123
Artikelnr.: 05-0010-01032
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Menge

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt wurde. Mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen Strom von 150 mA ist er für eine Vielzahl von industriellen und kommerziellen Anwendungen geeignet. Der Transistor bietet eine Gesamtleistungsaufnahme von bis zu 250 mW und zeichnet sich durch eine schnelle Schaltzeit von nur 20 ns aus, was ihn ideal für zeitkritische Anwendungen macht.

Dieser MOSFET ist im SMD-Gehäuse SOT-23/TO-236AB verfügbar und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel. Darüber hinaus kann er in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben werden, was seine Vielseitigkeit in verschiedenen Umgebungen unterstreicht. Der BSS123 eignet sich hervorragend für Schaltanwendungen und Signalverstärkung, und seine geringen Abmessungen erleichtern die Integration in kompakte Designs.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	BSS123
RoHS-konform	Ja
Länge	3 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	150 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	25 pF
Eingangskapazität (C_iss)	40 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	6 Ω
Gate-Source-Spannung	2,8 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	10 V
Max. Schaltverzögerung	20 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	10 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	250 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr.	BSS123