BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell BSS123
RoHS-konform Ja
Länge 3 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,1 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 25 pF
Eingangskapazität (C_iss) 40 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 6 Ω
Gate-Source-Spannung 2,8 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 10 V
Max. Schaltverzögerung 20 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 10 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 250 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 100 V
Max. Schaltstrom 150 mA
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Irrtümer vorbehalten