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IRL6342PBF / IRL6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 9,9 A, 2,5 W, 33 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • IRL6342PBF / IRL6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 9,9 A, 2,5 W, 33 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRL6342TRPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-01004
  • Lagerbestand: 65

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Der IRL6342PBF / IRL6342TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL6342, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (MOSFET) von Infineon Technologies. Dieser MOSFET ist für eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 9,9 A ausgelegt, was ihn ideal für batteriebetriebene Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRL6342TRPBF ist sein niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 14,6 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies führt zu minimalen Leistungsverlusten und einer höheren Effizienz in der Anwendung. Zudem weist der MOSFET eine typische Gate-Ladung (Qg) von 11 nC auf, was schnelles Schalten ermöglicht.

Das Bauteil ist im kompakten SO-8-Gehäuse untergebracht, was eine platzsparende Integration in verschiedenen Designs ermöglicht.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRL6342PBF / IRL6342TRPBF
RoHS-konform Ja
Länge 5 mm
Breite 4 mm
Höhe 1,75 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 9,9 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 97 pF
Eingangskapazität (C_iss) 1.025 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 14,6 mΩ
Gate-Source-Spannung 1,1 - 12 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 33 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 70 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 2,5 W
Anzahl Pins 8
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SO-8
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRL6342TRPBF

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2,15 €
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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

1,65 €
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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01033

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00016

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00024

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IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00025

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Der IRL6342PBF / IRL6342TRPBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von bis zu 9,9 A, der ideal für moderne Schaltungen geeignet ist. Mit einer Schaltzeit von nur 33 ns und einer Verlustleistung von 2,5 W garantiert er hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Ihren Anwendungen. Sein kompaktes SMD-Gehäuse (SO-8) ermöglicht eine platzsparende Integration in unterschiedlichste Designs. Zudem ist der MOSFET TTL- und CMOS-kompatibel und arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -55 bis 150 °C, wodurch er sich perfekt für anspruchsvolle Anwendungen eignet. Optimieren Sie Ihre Projekte mit diesem vielseitigen MOSFET für hohe Leistung und Stabilität. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRL6342PBF, IRL6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V MOSFET, 9, 9 A Transistor, 2, 5 W Bauelement, SMD Transistor, SO-8 Gehäuse, TTL-kompatibel, CMOS-kompatibel, Hochtemperatur-MOSFET, -55..150 °C, Hochleistungs-Transistor, Elektronikbauteile, Leistungstransistor, Schalttransistor, Bauelemente online kaufen, SMD Bauelemente, Transistoren für Schaltungen, effiziente Leistungsschalter, Halbleiter-Komponenten, industrielle Anwendungen, digitale Schaltungselemente, Hochspannungs-MOSFET, Transistor für Gleichstrom, schnelle Schalttransistoren, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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