IRL1004PBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 130 A, 200 W, 210 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRL1004PBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 130 A, 200 W, 210 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Artikelnr.: 05-0010-00015
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRL1004PBF
RoHS-konform Ja
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 1.480 pF
Eingangskapazität (C_iss) 5.330 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 9 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 210 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 320 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 1,3 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 200 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 40 V
Max. Schaltstrom 130 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Irrtümer vorbehalten