CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
MPN: CSD88539NDT
Artikelnr.: 05-0010-01035
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Menge

Der CSD88539NDT ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem SO-8 SMD-Gehäuse untergebracht ist. Er bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und kann einen maximalen Drain-Strom von 11,7 A handhaben. Mit einer maximalen Leistung von 2,1 W sorgt dieser MOSFET für eine effiziente Stromsteuerung in verschiedenen Anwendungen. Die Schaltzeiten sind mit 14 ns schnell, was eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht, ideal für anspruchsvolle elektronische Schaltungen.

Der CSD88539NDT ist TTL-/CMOS-kompatibel und hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, was ihn für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen geeignet macht. Er findet Anwendung in der Leistungselektronik und in Projekten, bei denen Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit erforderlich sind.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET, 2-fach
Modell	CSD88539NDT
RoHS-konform	Ja
Länge	5 mm
Breite	4 mm
Höhe	1,75 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	11,7 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	70 pF
Eingangskapazität (C_iss)	570 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	34 mΩ
Gate-Source-Spannung	3,6 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	6 V
Max. Schaltverzögerung	14 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	2 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	2
Bauelement
Max. Verlustleistung	2,1 W
Anzahl Pins	8
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SO-8
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Texas Instruments Inc., 12500 TI Blvd., 75243 Dallas, Texas, US, +18552263113, info@ti.com
Hersteller-Artikelnr.	CSD88539NDT
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de