CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Artikelnr.: 05-0010-01035
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET, 2-fach
Modell CSD88539NDT
RoHS-konform Ja
Länge 5 mm
Breite 4 mm
Höhe 1,75 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 70 pF
Eingangskapazität (C_iss) 570 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 34 mΩ
Gate-Source-Spannung 3,6 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 6 V
Max. Schaltverzögerung 14 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 2 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 2
Bauelement
Max. Verlustleistung 2,1 W
Anzahl Pins 8
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 60 V
Max. Schaltstrom 11,7 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SO-8
Irrtümer vorbehalten

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