CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
  • MPN: CSD88539NDT
  • Artikelnr.: 05-0010-01035
  • Lagerbestand: 65

  • 1,79999 €

    inkl. MwSt. zzgl. Versand
  • Netto 1,51260 €

  • Staffelpreise (je Stück)¹

  • ab 5 Stück: 1,17 €(Netto 0,98319 €)
  • ab 20 Stück: 0,96250 €(Netto 0,80882 €)
  • ab 50 Stück: 0,88200 €(Netto 0,74118 €)
  • ab 100 Stück: 0,85550 €(Netto 0,71891 €)


Der CSD88539NDT ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem SO-8 SMD-Gehäuse untergebracht ist. Er bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und kann einen maximalen Drain-Strom von 11,7 A handhaben. Mit einer maximalen Leistung von 2,1 W sorgt dieser MOSFET für eine effiziente Stromsteuerung in verschiedenen Anwendungen. Die Schaltzeiten sind mit 14 ns schnell, was eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht, ideal für anspruchsvolle elektronische Schaltungen.

Der CSD88539NDT ist TTL-/CMOS-kompatibel und hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, was ihn für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen geeignet macht. Er findet Anwendung in der Leistungselektronik und in Projekten, bei denen Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit erforderlich sind.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET, 2-fach
Modell CSD88539NDT
RoHS-konform Ja
Länge 5 mm
Breite 4 mm
Höhe 1,75 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 11,7 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 70 pF
Eingangskapazität (C_iss) 570 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 34 mΩ
Gate-Source-Spannung 3,6 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 6 V
Max. Schaltverzögerung 14 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 2 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 2
Bauelement
Max. Verlustleistung 2,1 W
Anzahl Pins 8
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SO-8
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Texas Instruments Inc., 12500 TI Blvd., 75243 Dallas, Texas, US, +18552263113, info@ti.com
Hersteller-Artikelnr. CSD88539NDT
EU Verantwortliche Person vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de

Downloads

Der CSD88539NDT ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 60 V und einem maximalen Strom von 11,7 A, der sich ideal für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik eignet. Mit einer niedrigen Verlustleistung von nur 2,1 W und einer schnellen Schaltgeschwindigkeit von 14 ns ist dieser SMD-MOSFET im kompakten SO-8-Gehäuse TTL- und CMOS-kompatibel. Der Betriebstemperaturbereich von -55 bis 150 °C gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen, wodurch er perfekt für industrielle und automotive Anwendungen geeignet ist. Steigern Sie Ihre Schaltungseffizienz mit dem CSD88539NDT und nutzen Sie seine Vorteile für Ihre Projekte. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 60V MOSFET, 11, 7A Transistor, SO-8 SMD Bauelement, 2-fach MOSFET, TTL-kompatibler MOSFET, CMOS-kompatibler Transistor, Hochspannungs-MOSFET, rapide Schaltgeschwindigkeit MOSFET, -55 bis 150 Grad Temperaturbereich, Elektronik Komponenten, SMD Transistor, leistungsstarker N-Kanal Transistor, Bauelemente für Schaltungen, Transistor für digitale Schaltungen, effizientes Schalten, MOSFET für industrielle Anwendungen, Transistor für Netzteil, bauelemente für Hobbyelektronik, Hochleistungstransistor, SMD-MOSFET kaufen, zuverlässige Transistoren, Elektronik Bauelemente online., Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung
Irrtümer vorbehalten. Diese Seite enthält generierte Inhalte.