CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Der CSD88539NDT ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem SO-8 SMD-Gehäuse untergebracht ist. Er bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und kann einen maximalen Drain-Strom von 11,7 A handhaben. Mit einer maximalen Leistung von 2,1 W sorgt dieser MOSFET für eine effiziente Stromsteuerung in verschiedenen Anwendungen. Die Schaltzeiten sind mit 14 ns schnell, was eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht, ideal für anspruchsvolle elektronische Schaltungen.
Der CSD88539NDT ist TTL-/CMOS-kompatibel und hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, was ihn für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen geeignet macht. Er findet Anwendung in der Leistungselektronik und in Projekten, bei denen Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit erforderlich sind.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET, 2-fach |
Modell | CSD88539NDT |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 5 mm |
Breite | 4 mm |
Höhe | 1,75 mm |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 11,7 A |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 70 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 570 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 34 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 3,6 - 20 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 6 V |
Max. Schaltverzögerung | 14 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 2 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 2 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 2,1 W |
Anzahl Pins | 8 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 60 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SO-8 |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Texas Instruments Inc., 12500 TI Blvd., 75243 Dallas, Texas, US, +18552263113, info@ti.com |
Hersteller-Artikelnr. | CSD88539NDT |
EU Verantwortliche Person | vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de |