IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRF530NPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00025
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Der IRF530NPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Sperrspannung von 100 V und einem maximalen Drainstrom von 17 A ausgelegt ist. Mit einer maximalen Verlustleistung von 70 W und einem schnellen Schaltverhalten von 35 ns eignet sich dieser Transistor ideal für verschiedene elektronische Schaltungen. Er ist kompatibel mit TTL- und CMOS-Logikpegeln und bietet einen breiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

Das Bauteil wird im Gehäuse TO-220AB geliefert und ist für die Durchsteckmontage (THT) konzipiert. Der IRF530NPBF erfüllt die Anforderungen anspruchsvoller Anwendungen in der Leistungselektronik und ist aufgrund seiner Spezifikationen sowohl für industrielle als auch für kommerzielle Projekte geeignet.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRF530NPBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 17 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 130 pF
Eingangskapazität (C_iss) 920 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 90 mΩ
Gate-Source-Spannung -20 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 10 V
Max. Schaltverzögerung 35 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 19 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,47 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 70 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRF530NPBF

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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01018

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00016

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00024

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Der IRF530NPBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem Strom von bis zu 17 A, ideal für Anwendungen im Bereich Hochstrom- und Hochspannungssteuerung. Mit einer Verlustleistung von 70 W und einer Schaltzeit von nur 35 ns bietet er schnelle Reaktionszeiten und hohe Effizienz. Seine THT-Bauform im TO-220AB Gehäuse garantiert einfache Integration in verschiedene Schaltungen. Zudem ist der IRF530NPBF TTL-/CMOS-kompatibel und arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -55 bis 175 °C, wodurch er sich bestens für anspruchsvolle elektronische Anwendungen eignet. Optimal für Projekte in der Leistungselektronik und Regelungstechnik. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100V MOSFET, 17A Transistor, 70W Leistung, THT MOSFET, TO-220AB Gehäuse, TTL CMOS kompatibel, Hochvolt Transistor, Hochstrom MOSFET, -55 bis 175 Grad Betrieb, Leistungstransistor, elektronische Bauelemente, schnelle Schaltungstransistoren, Transistor 100V 17A, MOSFET 70W, robustes Transistor, Power MOSFET, Halbleiter Komponente, Transistor für Leistungsanwendungen, Temperaturbeständiger MOSFET, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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