SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell SI2302DDS
RoHS-konform Ja
Länge 3,04 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,12 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 70 pF
Eingangskapazität (C_iss) 310 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 57 mΩ
Gate-Source-Spannung 0,85 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 45 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 30 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 710 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 20 V
Max. Schaltstrom 2,6 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Irrtümer vorbehalten