SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: VISHAY
MPN: SI2302DDS
Artikelnr.: 05-0010-01034
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Menge

Der SI2302DDS ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen kontinuierlichen Strom von 2,6 A ausgelegt ist. Mit einer maximalen Verlustleistung von 710 mW bietet dieses Bauelement eine gute Effizienz für verschiedene Anwendungen. Die Schaltzeit beträgt typisch 45 ns, was es zu einer geeigneten Wahl für Hochgeschwindigkeitsanwendungen macht. Dank seines SMD-Gehäuses im Format SOT-23/TO-236AB lässt sich der MOSFET einfach auf Leiterplatten integrieren.

Der SI2302DDS ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was die Verwendung in unterschiedlichen Schaltkreisen erleichtert. Der Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Dieses Produkt ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, Signalverarbeitung und Automatisierungstechnik.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	SI2302DDS
RoHS-konform	Ja
Länge	3,04 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	1,12 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	2,6 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	70 pF
Eingangskapazität (C_iss)	310 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	57 mΩ
Gate-Source-Spannung	0,85 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	45 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	30 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	710 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Vishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, 95100 Selb, DE, +499287710, business-europe@vishay.com
Hersteller-Artikelnr.	SI2302DDS