SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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Der SI2302DDS ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen kontinuierlichen Strom von 2,6 A ausgelegt ist. Mit einer maximalen Verlustleistung von 710 mW bietet dieses Bauelement eine gute Effizienz für verschiedene Anwendungen. Die Schaltzeit beträgt typisch 45 ns, was es zu einer geeigneten Wahl für Hochgeschwindigkeitsanwendungen macht. Dank seines SMD-Gehäuses im Format SOT-23/TO-236AB lässt sich der MOSFET einfach auf Leiterplatten integrieren.

Der SI2302DDS ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was die Verwendung in unterschiedlichen Schaltkreisen erleichtert. Der Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Dieses Produkt ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, Signalverarbeitung und Automatisierungstechnik.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell SI2302DDS
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 3,04 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,12 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 2,6 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 70 pF
Eingangskapazität (C_iss) 310 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 57 mΩ
Gate-Source-Spannung 0,85 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 45 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 30 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 710 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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05-0010-00024

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01017

1,65 €
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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01018

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

1,50 €
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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

1,15 €
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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

1,15 €
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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01033

1,10 €
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CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01035

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Der SI2302DDS N-Kanal MOSFET ist ein leistungsstarker Halbleiter mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem Strom von 2,6 A, ideal für vielseitige Anwendungen in der Elektronik. Mit einer hohen Leistung von 710 mW und einer schnellen Schaltzeit von 45 ns bietet dieser SMD-MOSFET im kompakten SOT-23/TO-236AB Gehäuse eine hervorragende Effizienz. Er ist TTL-/CMOS-kompatibel und funktioniert zuverlässig in einem breiten Temperaturbereich von -55 bis 150 °C. Nutzen Sie den SI2302DDS für Ihre modernen Schaltanwendungen und profitieren Sie von hoher Zuverlässigkeit und Leistung in Ihrem nächsten Projekt.
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