RFP12N10L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 12 A, 60 W, 150 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • RFP12N10L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 12 A, 60 W, 150 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Artikelnr.: 05-0010-00007
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell RFP12N10L
RoHS-konform Ja
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 325 pF
Eingangskapazität (C_iss) 900 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 200 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 10 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 150 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 170 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,43 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 60 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 100 V
Max. Schaltstrom 12 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Irrtümer vorbehalten