RFP12N10L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 12 A, 60 W, 150 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • Hersteller: ONSEMI
  • MPN: RFP12N10L
  • Artikelnr.: 05-0010-00007
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Der RFP12N10L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Durchbruchspannung von 100 V und einem maximalen Dauerstrom von 12 A ausgelegt ist. Mit einer Verlustleistung von bis zu 60 W eignet sich dieses Bauelement für verschiedene Schaltanwendungen, in denen Effizienz und Zuverlässigkeit erforderlich sind. Die Schaltgeschwindigkeit des MOSFET beträgt 150 ns, was ihn für schnelle Anwendungen qualifiziert.

Der Transistor ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was eine einfache Integration in diverse Schaltungen ermöglicht. Der Temperaturbereich erstreckt sich von -55 °C bis 150 °C, wodurch der RFP12N10L für eine Vielzahl von Umgebungen geeignet ist. Diese Merkmale machen ihn zu einer verlässlichen Wahl für die Verwendung in industriellen und kommerziellen Anwendungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell RFP12N10L
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 12 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 325 pF
Eingangskapazität (C_iss) 900 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 200 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 10 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 150 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 170 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,43 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 60 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr. RFP12N10L
EU Verantwortliche Person vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de

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Der RFP12N10L N-Kanal MOSFET bietet eine zuverlässige Lösung für leistungsstarke Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem Strom von 12 A. Mit einer Verlustleistung von bis zu 60 W und einer Schaltzeit von nur 150 ns eignet sich dieser Transistor ideal für vielfältige Schaltungen. Die TO-220AB Bauform ermöglicht eine unkomplizierte Durchsteckmontage (THT) und ist TTL-/CMOS-kompatibel, was dessen Integration in verschiedene Projekte erleichtert. Darüber hinaus widersteht der RFP12N10L extremen Temperaturen von -55 bis 150 °C, was ihn perfekt für anspruchsvolle Umgebungen macht. Nutzen Sie die Vorteile dieses leistungsfähigen MOSFETs für Ihre elektronischen Anwendungen und optimieren Sie die Effizienz Ihrer Schaltung. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
RFP12N10L, N-Kanal MOSFET, 100 V MOSFET, 12 A Transistor, 60 W Bauelement, 150 ns Schaltzeit, THT MOSFET, TO-220AB Gehäuse, TTL-kompatibel Transistor, CMOS-kompatibel Bauelement, -55 bis 150 °C Temperaturbereich, Leistungstransistor, Elektronik Bauelemente, Hochspannungs MOSFET, effiziente Abschaltung, Transistor für Schaltanwendungen, Halbleiter Bauelemente, Leistungselektronik Komponenten, industrielle Anwendungen Transistor, zuverlässige MOSFET Lösung, Elektronik Zubehör, Transistor für Netzteile, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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