FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDG6303N
Artikelnr.: 05-0010-01002
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Menge

Der FDG6303N ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem 2-fach Design ausgeführt ist. Er eignet sich für eine maximale Drain-Source-Spannung von 25 V und kann Ströme bis zu 500 mA bei einer Verlustleistung von bis zu 300 mW verarbeiten. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 30 ns ist dieser MOSFET besonders für Anwendungen geeignet, die eine schnelle Umschaltung erfordern.

Der FDG6303N ist im SMD-Gehäuse SOT-363 verfügbar und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel. Er deckt einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ab, was ihn für unterschiedlichste Umgebungen und Anwendungen nutzbar macht. Der Einsatz in der Kategorie Bauelemente, speziell bei Transistoren, positioniert diesen MOSFET als zuverlässige Lösung für moderne Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDG6303N
RoHS-konform	Ja
Länge	2 mm
Breite	1,25 mm
Höhe	1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	500 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	28 pF
Eingangskapazität (C_iss)	50 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	0,45 Ω
Gate-Source-Spannung	1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	30 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	9 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	2
Bauelement
Max. Verlustleistung	300 mW
Anzahl Pins	6
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	25 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-363
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDG6303N
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de