FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Artikelnr.: 05-0010-01002
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDG6303N
RoHS-konform Ja
Länge 2 mm
Breite 1,25 mm
Höhe 1,1 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 28 pF
Eingangskapazität (C_iss) 50 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 0,45 Ω
Gate-Source-Spannung 1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 30 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 9 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 2
Bauelement
Max. Verlustleistung 300 mW
Anzahl Pins 6
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 25 V
Max. Schaltstrom 500 mA
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-363
Irrtümer vorbehalten