FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: ONSEMI
  • MPN: FDG6303N
  • Artikelnr.: 05-0010-01002
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Der FDG6303N ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem 2-fach Design ausgeführt ist. Er eignet sich für eine maximale Drain-Source-Spannung von 25 V und kann Ströme bis zu 500 mA bei einer Verlustleistung von bis zu 300 mW verarbeiten. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 30 ns ist dieser MOSFET besonders für Anwendungen geeignet, die eine schnelle Umschaltung erfordern.

Der FDG6303N ist im SMD-Gehäuse SOT-363 verfügbar und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel. Er deckt einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ab, was ihn für unterschiedlichste Umgebungen und Anwendungen nutzbar macht. Der Einsatz in der Kategorie Bauelemente, speziell bei Transistoren, positioniert diesen MOSFET als zuverlässige Lösung für moderne Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDG6303N
RoHS-konform Ja
Länge 2 mm
Breite 1,25 mm
Höhe 1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 500 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 28 pF
Eingangskapazität (C_iss) 50 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 0,45 Ω
Gate-Source-Spannung 1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 30 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 9 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 2
Bauelement
Max. Verlustleistung 300 mW
Anzahl Pins 6
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 25 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-363
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr. FDG6303N
EU Verantwortliche Person vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de
Der FDG6303N ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET in einer kompakten SMD-Bauform (SOT-363), der für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Mit einer maximalen Spannung von 25 V und einem Strom von bis zu 500 mA bietet dieser Transistor eine hohe Effizienz bei nur 300 mW Verlustleistung. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit von 30 ns macht ihn ideal für TTL- und CMOS-Kompatible Schaltungen, während der temperaturbeständige Bereich von -55 bis 150 °C eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen gewährleistet. Optimal für moderne elektronische Projekte und Schaltungen, die Präzision und Zuverlässigkeit erfordern. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
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