FDG6303N, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 25 V, 500 mA, 300 mW, 30 ns, SMD, SOT-363, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Der FDG6303N ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem 2-fach Design ausgeführt ist. Er eignet sich für eine maximale Drain-Source-Spannung von 25 V und kann Ströme bis zu 500 mA bei einer Verlustleistung von bis zu 300 mW verarbeiten. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 30 ns ist dieser MOSFET besonders für Anwendungen geeignet, die eine schnelle Umschaltung erfordern.
Der FDG6303N ist im SMD-Gehäuse SOT-363 verfügbar und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel. Er deckt einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ab, was ihn für unterschiedlichste Umgebungen und Anwendungen nutzbar macht. Der Einsatz in der Kategorie Bauelemente, speziell bei Transistoren, positioniert diesen MOSFET als zuverlässige Lösung für moderne Schalt- und Steuerungsanwendungen.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | FDG6303N |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 2 mm |
Breite | 1,25 mm |
Höhe | 1,1 mm |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 500 mA |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 28 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 50 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 0,45 Ω |
Gate-Source-Spannung | 1,5 - 8 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 30 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 9 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 2 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 300 mW |
Anzahl Pins | 6 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 25 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SOT-363 |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com |
Hersteller-Artikelnr. | FDG6303N |
EU Verantwortliche Person | vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de |