IRLU024NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 17 A, 45 W, 74 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Hersteller: INFINEON
MPN: IRLU024NPBF
Artikelnr.: 05-0010-00023
Lagerbestand: 111

1,50 €
inkl. MwSt. zzgl. Versand
Netto 1,26050 €
Staffelpreise (je Stück)¹
ab 5 Stück: 0,84 €(Netto 0,70588 €)
ab 20 Stück: 0,52251 €(Netto 0,43908 €)
ab 50 Stück: 0,39 €(Netto 0,32773 €)
ab 100 Stück: 0,32600 €(Netto 0,27395 €)

Menge

Der IRLU024NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU024N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 17 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLU024NPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 65 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 15 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 45 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU024NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLU024NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU024NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLU024NPBF
RoHS-konform	Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	17 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	130 pF
Eingangskapazität (C_iss)	480 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	80 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	74 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	61 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 175 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Derating-Faktor	0,3 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung	45 W
Anzahl Pins	3
Montageart	THT
Max. Schaltspannung	55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	IPAK
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr.	IRLU024NPBF