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IRLU110PBF, N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V, 4,3 A, 25 W, 47 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: VISHAY
MPN: IRLU110PBF
Artikelnr.: 05-0010-00001
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Menge

Der IRLU110PBF ist ein N-Kanal Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige Leistung bei relativ hohen Spannungen und Strömen erfordern. Mit einer maximalen Sperrspannung von 100 V und einem maximalen Drain-Strom von 4,3 A eignet sich dieser MOSFET gut für verschiedene Leistungssteuerungssysteme. Die Verlustleistung kann bis zu 25 W betragen, was ihn zu einer effizienten Wahl in vielen elektronischen Schaltungen macht.

Mit einer Schaltzeit von nur 47 ns eignet sich der IRLU110PBF für Hochfrequenzanwendungen. Der Bauelementtyp hat eine THT-Bauform im IPAK/TO-251AA-Gehäuse und ist TTL-/CMOS-kompatibel, was eine einfache Integration in moderne Schaltungen ermöglicht. Der Temperaturbereich von -55 bis 150 °C sorgt dafür, dass der MOSFET in unterschiedlichen Umgebungen zuverlässig arbeitet.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLU110PBF
RoHS-konform	Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	4,3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	80 pF
Eingangskapazität (C_iss)	250 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	540 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 10 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	47 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	15 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Derating-Faktor	0,2 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung	25 W
Anzahl Pins	3
Montageart	THT
Max. Schaltspannung	100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	IPAK / TO-251AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Vishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, 95100 Selb, DE, +499287710, business-europe@vishay.com
Hersteller-Artikelnr.	IRLU110PBF