PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET |
| Modell | PSMN0R9-30YLDX |
| RoHS-konform | Ja |
| Länge | 6,2 mm |
| Breite | 5,3 mm |
| Höhe | 1,1 mm |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 2.914 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 7.668 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 1,09 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | 2,2 - 30 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
| Max. Schaltverzögerung | 63 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 445 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 1 |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 291 W |
| Anzahl Pins | 5 |
| Montageart | SMD |
| Max. Schaltspannung | 30 V |
| Max. Schaltstrom | 300 A |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | LFPAK-56 / SOT-1023 |
Irrtümer vorbehalten