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PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: NEXPERIA
  • MPN: PSMN0R9-30YLDX
  • Artikelnr.: 05-0010-01005
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Der PSMN0R9-30YLDX ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Betriebsspannung von 30 V und einen maximalen Strom von 300 A ausgelegt ist. Er bietet eine Leistung von bis zu 291 W und eine Schaltgeschwindigkeit von 63 ns. Dieses Bauelement unterstützt die SMD-Technologie und ist im LFPAK-56/SOT-1023-Gehäuse verfügbar. Es ist TTL- und CMOS-kompatibel, was es vielseitig in verschiedenen Anwendungen einsetzbar macht.

Der Temperaturbereich des PSMN0R9-30YLDX reicht von -55 °C bis 150 °C, was eine robuste Leistung unter extremen Bedingungen ermöglicht. Dieses Produkt eignet sich hervorragend für Anwendungen in der Leistungselektronik, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

Produkteigenschaften

Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell PSMN0R9-30YLDX
RoHS-konform Ja
Länge 6,2 mm
Breite 5,3 mm
Höhe 1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 300 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 2.914 pF
Eingangskapazität (C_iss) 7.668 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 1,09 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,2 - 30 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 63 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 445 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 291 W
Anzahl Pins 5
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse LFPAK-56 / SOT-1023
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr. PSMN0R9-30YLDX

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

1,65 €
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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01033

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00016

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-00024

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IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRF530NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 70 W, 35 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

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Der PSMN0R9-30YLDX N-Kanal MOSFET bietet eine außergewöhnliche Leistung mit einer spannenden maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V und einem beeindruckenden Strom von bis zu 300 A. Mit einer Verlustleistung von 291 W und einer Schaltzeit von nur 63 ns eignet sich dieser SMD-Baustein optimal für vielseitige Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik. Der MOSFET arbeitet zuverlässig bei Betriebstemperaturen von -55 bis 150 °C und ist kompatibel mit TTL-/CMOS-Logik, was ihn zu einer flexiblen Wahl für moderne Schaltungen macht. Entdecken Sie die Leistungsfähigkeit und Effizienz des PSMN0R9-30YLDX für Ihre nächsten Projektanforderungen im Bereich Transistoren und elektronische Komponenten. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30V MOSFET, 300A MOSFET, 291W Leistungstransistor, 63ns Schaltgeschwindigkeit, SMD Bauelement, LFPAK-56, SOT-1023 Gehäuse, TTL kompatibel, CMOS kompatibel, Hochstromtransistor, -55 bis 150 Grad Celsius, elektronische Bauelemente, Leistungstransistor kaufen, Transistor für Schaltanwendungen, MOSFET Online-Shop, Industrieelektronik, Bauteile für Leistungselektronik, effiziente Schaltungstechnik, Hochleistungs-MOSFET, MOSFET für Netzteile, Halbleiterkomponenten., Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung, Arduino, Raspberry Pi, Modul, DIY, Maker
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