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PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Der PSMN0R9-30YLDX ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Betriebsspannung von 30 V und einen maximalen Strom von 300 A ausgelegt ist. Er bietet eine Leistung von bis zu 291 W und eine Schaltgeschwindigkeit von 63 ns. Dieses Bauelement unterstützt die SMD-Technologie und ist im LFPAK-56/SOT-1023-Gehäuse verfügbar. Es ist TTL- und CMOS-kompatibel, was es vielseitig in verschiedenen Anwendungen einsetzbar macht.

Der Temperaturbereich des PSMN0R9-30YLDX reicht von -55 °C bis 150 °C, was eine robuste Leistung unter extremen Bedingungen ermöglicht. Dieses Produkt eignet sich hervorragend für Anwendungen in der Leistungselektronik, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell PSMN0R9-30YLDX
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 6,2 mm
Breite 5,3 mm
Höhe 1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 300 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 2.914 pF
Eingangskapazität (C_iss) 7.668 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 1,09 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,2 - 30 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 63 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 445 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 291 W
Anzahl Pins 5
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse LFPAK-56 / SOT-1023
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519766828, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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