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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: BSS123L
Artikelnr.: 05-0010-01025
Lagerbestand: 44

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Menge

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und effiziente Steuerung von elektrischen Signalen erfordern. Dieser Transistor hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 170 mA und eine maximale Leistung von 360 mW. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 31 ns ist der BSS123L besonders geeignet für schnelle Schaltanwendungen.

Der MOSFET ist im SMD-Gehäuse SOT-23/TO-236AB untergebracht und weist eine hohe Kompatibilität mit TTL- und CMOS-Technologien auf. Er ist für Betriebstemperaturen im Bereich von -55 bis 150 °C ausgelegt, was ihn vielseitig in verschiedenen Umgebungen einsetzbar macht. Der BSS123L stellt somit eine effektive Lösung für die Integration in moderne elektronische Schaltungen dar.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	BSS123L
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,3 mm
Höhe	1,2 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	170 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	3,52 pF
Eingangskapazität (C_iss)	21,5 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	10 Ω
Gate-Source-Spannung	2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	31 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	1,67 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	360 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	BSS123L
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de