FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Strom von 3 A ausgelegt ist. Er hat eine Leistung von 500 mW und eine Schaltzeit von 29 ns, was ihn für Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen geeignet macht. Dieser MOSFET in der SMD-Bauform SuperSOT-3 ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was seine Vielseitigkeit in verschiedenen Schaltungen erhöht.

Der Temperaturbereich des FDN339AN reicht von -55 °C bis 150 °C, wodurch er in einer Vielzahl von Umgebungen eingesetzt werden kann. Seine spezifischen Eigenschaften und der kompakte Formfaktor machen ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Anwendungen, insbesondere in der Kategorie der Transistoren.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDN339AN
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 175 pF
Eingangskapazität (C_iss) 700 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 35 mΩ
Gate-Source-Spannung 1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 29 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 85 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 500 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01017

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01020

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01021

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01022

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01023

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

05-0010-01024

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01025

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01026

1,40 €
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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01027

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01028

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01029

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01030

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01031

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01032

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01033

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SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

05-0010-01034

1,45 €
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CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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Der FDN339AN ist ein fortschrittlicher N-Kanal MOSFET, der sich ideal für verschiedene elektronische Anwendungen eignet. Mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem Strom von 3 A bietet er eine bemerkenswerte Leistung bei einer Verlustleistung von lediglich 500 mW. Seine schnelle Schaltzeit von 29 ns garantiert effiziente Signalverarbeitung und Reaktionsfähigkeit. Der FDN339AN im kompakten SuperSOT-3-Gehäuse ist TTL- und CMOS-kompatibel und ermöglicht eine einfache Integration in moderne Schaltungen. Er ist für Betriebstemperaturen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, was ihn besonders vielseitig und zuverlässig in unterschiedlichen Umgebungen macht. Nutzen Sie den FDN339AN für Ihre nächsten Projekte, um die Leistung und Effizienz Ihrer Schaltungen zu maximieren.
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