FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDN339AN
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 0,93 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 175 pF
Eingangskapazität (C_iss) 700 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 35 mΩ
Gate-Source-Spannung 1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 29 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 85 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 500 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 20 V
Max. Schaltstrom 3 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SuperSOT-3
Irrtümer vorbehalten