FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Hersteller: ONSEMI
MPN: FDN339AN
Artikelnr.: 05-0010-01018
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Menge

Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Strom von 3 A ausgelegt ist. Er hat eine Leistung von 500 mW und eine Schaltzeit von 29 ns, was ihn für Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen geeignet macht. Dieser MOSFET in der SMD-Bauform SuperSOT-3 ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was seine Vielseitigkeit in verschiedenen Schaltungen erhöht.

Der Temperaturbereich des FDN339AN reicht von -55 °C bis 150 °C, wodurch er in einer Vielzahl von Umgebungen eingesetzt werden kann. Seine spezifischen Eigenschaften und der kompakte Formfaktor machen ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Anwendungen, insbesondere in der Kategorie der Transistoren.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	FDN339AN
RoHS-konform	Ja
Länge	2,92 mm
Breite	1,4 mm
Höhe	0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	175 pF
Eingangskapazität (C_iss)	700 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	35 mΩ
Gate-Source-Spannung	1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	4,5 V
Max. Schaltverzögerung	29 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	85 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 150 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Bauelement
Max. Verlustleistung	500 mW
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller	Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr.	FDN339AN
EU Verantwortliche Person	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de