IRLR3410PBF / IRLR3410TRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 79 W, 53 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

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Der IRLR3410PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3410, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 17 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLR3410PBF ist sein niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 105 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 22,7 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten D-PAK (TO-252AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 79 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR3410PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLR3410PBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR3410PBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
Verfügbarkeit	auf Lager
Allgemein
Funktion	N-Kanal MOSFET
Modell	IRLR3410PBF / IRLR3410TRPBF
vipitec Produktlinie
RoHS	Ja
Länge	7,49 mm
Breite	6,73 mm
Höhe	2,39 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb)	17 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss)	160 pF
Eingangskapazität (C_iss)	800 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON)	125 mΩ
Gate-Source-Spannung	2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand	5 V
Max. Schaltverzögerung	53 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss)	90 pF
Sperrschichttemperatur	-55 - 175 °C
Transistor-Typ	N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber	1
Derating-Faktor	0,53 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung	79 W
Anzahl Pins	3
Montageart	SMD
Max. Schaltspannung	100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse	DPAK / TO-252AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR)	vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de