Betriebsruhe: 03.08.2026 bis zum 16.08.2026
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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 42 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.
Ein herausragendes Merkmal des IRLR2905ZTRPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 13,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 35 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.
Das Bauteil ist im kompakten TO-252AA (DPAK) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 110 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR2905ZTRPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.
Typische Einsatzgebiete für den IRLR2905ZTRPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR2905ZTRPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.
Produkteigenschaften (Herstellerangaben)
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET |
| Modell | IRLR2905ZTRPBF |
| vipitec Produktlinie |
|
| RoHS | Ja |
| Länge | 7,49 mm |
| Breite | 6,73 mm |
| Höhe | 2,39 mm |
| Schalter | |
| Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 42 A |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 230 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 1.570 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 20 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | 3 - 16 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 5 V |
| Max. Schaltverzögerung | 130 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 130 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 175 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 1 |
| Derating-Faktor | 0,72 W/°C |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 110 W |
| Anzahl Pins | 3 |
| Montageart | SMD |
| Max. Schaltspannung | 55 V |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | DPAK / TO-252AA |
| Informationen zur Produktsicherheit | |
| Hersteller (GPSR) | vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519766828, info@vipitec.de |
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