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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
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Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 42 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLR2905ZTRPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 13,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 35 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten TO-252AA (DPAK) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 110 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR2905ZTRPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLR2905ZTRPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR2905ZTRPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften (Herstellerangaben)

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLR2905ZTRPBF
vipitec Produktlinie Professional
RoHS Ja
Länge 7,49 mm
Breite 6,73 mm
Höhe 2,39 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 42 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 230 pF
Eingangskapazität (C_iss) 1.570 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 20 mΩ
Gate-Source-Spannung 3 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 130 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 130 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,72 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 110 W
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse DPAK / TO-252AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller (GPSR) vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519766828, info@vipitec.de
Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der vom Hersteller bereitgestellten Produkteigenschaften und -angaben wird keine Gewähr übernommen.

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Der IRLR2905ZTRPBF N-Kanal MOSFET bietet eine hohe Leistung mit einer Spannung von 55 V und einem Strom von bis zu 42 A, ideal für Anwendungen im Bereich Leistungselektronik. Mit einer Leistungsaufnahme von 110 W und einer Schaltzeit von nur 130 ns ermöglicht er schnelle Reaktionen in modernen Schaltungen. Der MOSFET ist im robusten SMD-Gehäuse DPAK/TO-252AA ausgeführt und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, wodurch er vielseitig einsetzbar ist. Mit einem breiten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C eignet sich dieser Transistor hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen in industriellen Anwendungen. Vertrauen Sie auf den IRLR2905ZTRPBF für zuverlässige Leistung in Ihren Projekten.
IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V MOSFET, 42 A Transistor, 110 W MOSFET, schneller Schalttransistor, 130 ns Schaltzeit, SMD Bauelemente, DPAK Transistor, TO-252AA Gehäuse, TTL-kompatibler Transistor, CMOS-kompatibler MOSFET, weite Betriebstemperatur, -55 bis 175 °C Bauelement, Leistungstransistor, elektronische Komponenten, Hochstromtransistor, Energieeffizienz MOSFET, Halbleiter Bauelemente, Transistor für Schaltanwendungen, SMD-Technologie, Leistungstechnik Bauteile, zuverlässiger N-Kanal Transistor
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