NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 270 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET |
| Modell | NX7002BKR |
| RoHS-konform | Ja |
| Länge | 3 mm |
| Breite | 1,4 mm |
| Höhe | 1,1 mm |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 4,6 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 23,6 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 3,2 Ω |
| Gate-Source-Spannung | 2,1 - 20 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 5 V |
| Max. Schaltverzögerung | 6,9 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 3 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 1 |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 270 mW |
| Anzahl Pins | 3 |
| Montageart | SMD |
| Max. Schaltspannung | 60 V |
| Max. Schaltstrom | 270 mA |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | SOT-23 / TO-236AB |
Irrtümer vorbehalten