IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 63 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 63 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLR3110ZTRPBF
RoHS-konform Ja
Länge 7,49 mm
Breite 6,73 mm
Höhe 2,39 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 310 pF
Eingangskapazität (C_iss) 3.980 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 16 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,5 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 110 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 130 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,95 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 140 W
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 100 V
Max. Schaltstrom 63 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse DPAK / TO-252AA
Irrtümer vorbehalten